最近看到看到谈及所谓的 symmetric current-voltage mirror 结构的 bandgap 的一篇论文,刚好以前有看到一些类似的方法,这里试着谈谈自己的一些理解。
下图中是基本的电流镜结构的 bandgap ,中间的 pmos 电流镜使流过两个 pnp 的电流相等,下面的一对 nmos 将左侧的 pnp 的 Vbe 与右侧的 Vres + Vbe 设为相同电压,故此有论文将此结构叫做 current-voltage mirror。
最近看到看到谈及所谓的 symmetric current-voltage mirror 结构的 bandgap 的一篇论文,刚好以前有看到一些类似的方法,这里试着谈谈自己的一些理解。
下图中是基本的电流镜结构的 bandgap ,中间的 pmos 电流镜使流过两个 pnp 的电流相等,下面的一对 nmos 将左侧的 pnp 的 Vbe 与右侧的 Vres + Vbe 设为相同电压,故此有论文将此结构叫做 current-voltage mirror。
这里试着来谈谈关于集成电路中 bandgap 的三极管电流大小选取的一些考虑。
一般来说从功耗的角度,bandgap中电流大小一般取得比较小,但同时也需考虑对噪声等的影响,除此之外,我们也可以看看在不同的电流下三极管的工作状态的变化。