在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下

WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中， 在对阱作离子注入时，注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘， 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体管与阱边缘的距离而发生变化， 这一特性就称为 well proximity effect.
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