这里把 CMOS 中的闩锁效应（latch-up）的来源和一些具体的避免 latch-up 的方法的内容做一些小结.
CMOS 中的 latch-up 问题来源于其寄生的 NPN 与 PNP 双极晶体管形成的 PNPN 结构, 具体的闩锁效应产生原理的分析，可以以一对反相器为例（如下图中所示）来说明。
图中 inverter 的 PMOS M2 在阱内形成的纵向双极型晶体管 PNP，NMOS M1 在衬底上形成的横向双极晶体管 NPN，这两个双极晶体管接成一对，可以看到反偏的阱-衬底结是两个晶体管的集电极。