还是继续 Analog IC Design 基础知识的总结，下面来谈谈 MOS 管在小尺寸下的效应，这里主要是小尺寸下的高电场（包括垂直和水平电场）引起的问题，包括迁移率退化，热载流子以及 DIBL 等问题。

关于垂直电场

随着 MOSFET 的栅氧化层厚度的减小，垂直电场越来越强，会减小沟道中载流子的有效迁移率

具体的理解可以考虑：垂直电场使沟道中载流子靠近表面，表面的缺陷会阻碍载流子由源到漏的移动，从而减小迁移率

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