继续之前关于 ESD 的内容：ESD 防护的基本目的在于：对大的 ESD 电流提供低阻泄放通路以避免热损坏，同时将芯片 pin 脚上电压钳位到安全电压防止介电击穿。

这里列举一下集成电路中常见的 ESD 保护器件和结构，具体更多的内容建议参考 ‘ Basic ESD and I/O Design ‘ 一书，感觉里面对 ESD 保护器件的叙述还是很全的

集成电路中常见的 ESD 保护器件和结构

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之前大致列了下 ESD 的基本机理/测试模型，这里把集成电路工艺中的 ESD 注入的概念列一下(更多详细的内容建议参考台湾交通大学柯明道教授的这个网站)：

具体关于ESD implementation的概念

在下图中，示出两种不同的 NMOS 元件结构：

左侧的是 sub-micro process下的标准器件结构，包含有 LDD 的漏(Drain)和源(Source)，这里 LDD 是用来减小 MOS 漏端在沟道下的电场强度分布，以克服因热载流子效应 (Hot carrier effect) 所造成的 I-V 特性因长时间使用而发生漂移的问题。
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最近大致看了下集成电路静电保护（ESD – Electro-Static Discharge）相关的内容，这里简单小结下，要是以后要深入的话，就打算把下面的几本ESD的书再仔细研读一下：

• ‘ Basic ESD and I/O Design ‘ – Sanjay Dabral, Timothy maloney
• ‘ ESD in Silicon Integrated Circuits ‘ – Ajith Amerasekera, Charvaka Duvvury
• ‘ On-Chip ESD Protection for Integrated Circuits: An IC Design Perspective ‘ – Albert Z.H.Wang

另外，在台湾交通大学的这个网站亦有提供关于 ESD 静电防护的很好的学习资料

关于 ESD

ESD 是一种瞬间静电泄放现象，典型的持续时间为~150ns。它所引起的大电流（可至几十安培）和高电压（可达几万伏）的瞬态会导致IC芯片的损坏。
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