之前简单介绍了关于 MOSFET 的阈值的简单仿真方法, 并以此来了解新工艺下 MOS 管阈值电压 Vth 的变化。
但是，在具体的实际电路设计中，常常有 MOS 管的源极（s）与衬底（b）的电位不同的情况（例如常见的 cascode 结构中的 cascode 管以及 nmos 输入的差分对管），这时体效应（或者说衬偏效应）会使 mos 管的阈值电压发生变化。在这里我们也可以通过仿真简单的评估一下体效应对 mos 管阈值的具体影响。
体效应影响的简单仿真电路如下：
继续阅读
标签归档：Body-Effect
MOSFET 体效应
打算抽空把模拟集成电路设计的基础知识清一遍，先从 MOSFET 的基本内容开始.
MOSFET 的体效应（body-effect，也叫衬底调制效应/衬偏效应），主要是来源于 MOS 管的 S-B（Source-Bulk）端之间的偏压对 MOSFET 阈值电压 vth 的影响：
以 NMOS 的晶体管为例，当晶体管的源端的电势高于体端电势时，源和体区的二极管反偏程度增加，栅下面的表面层中将有更多的空穴被吸引到衬底，使耗尽层中留下的不能移动的负离子增多，耗尽层宽度增加，耗尽层中的体电荷面密度 Qdep 也增加。而从一般的 MOSFET 的阈值电压的关系式中 Vth 与 Qdep 的关系（可以考率 Vth 为 MOS 栅电容提供电荷以对应另一侧耗尽区固定电荷的大小），可以看到阈值电压将升高。