在前面的文章里面，大致介绍了关于 MOS 管阈值电压的简单仿真，在此我们也可以通过一些简单的仿真来了解 MOSFET 的本征增益和特征频率的特性。

下图为所示的仿真电路，主要是通过对 Vgs 的直流扫描和简单的计算，以得到本征增益（Av）和特征频率（ft）对过驱动电压（Vov）的特性关系。

（注意，此处仿真得到的特征频率 ft 只是简单的由相应公式计算而来，如需进一步的仿真可以考虑其定义，即由电流的小信号增益曲线来得到，具体的仿真设置这里就不多谈了）

在下面的 spice 脚本中，通过加入 ’.option dccap=1’，使 spice 计算 dc 下节点电容（否则 DC 分析，电容认为开路），dccap 亦可换为 capdc 或者 CAPTAB，实际上若设定 dccap=2 或者 CAPTAB=2，spice 会在输出列表中打印所有节点的电容大小。

***Smartspice 仿真脚本***
.param l_par=1u
.options dccap=1
.dc v1 0.4 1.5 0.01
.let vov_n=@Mn[Vgs]-@Mn[Vth]
.let ft_n=1/2/3.14*@Mn[gm]/@Mn[cgtot]
.let av_n=@Mn[gm]/@Mn[gds]


下面是通过仿真得到的 本征增益 Av 和 特征频率 Ft 的曲线，这里可以看到他们随着过驱动电压的变化趋势。