最近大致看了下集成电路静电保护（ESD – Electro-Static Discharge）相关的内容，这里简单小结下，要是以后要深入的话，就打算把下面的几本ESD的书再仔细研读一下：

• ‘ Basic ESD and I/O Design ‘ – Sanjay Dabral, Timothy maloney
• ‘ ESD in Silicon Integrated Circuits ‘ – Ajith Amerasekera, Charvaka Duvvury
• ‘ On-Chip ESD Protection for Integrated Circuits: An IC Design Perspective ‘ – Albert Z.H.Wang

另外，在台湾交通大学的这个网站亦有提供关于 ESD 静电防护的很好的学习资料

关于 ESD

ESD 是一种瞬间静电泄放现象，典型的持续时间为~150ns。它所引起的大电流（可至几十安培）和高电压（可达几万伏）的瞬态会导致IC芯片的损坏。

ESD 机制/模型

1.Human-body model (HBM)

带电人体接触芯片（的静电泄放）模型

此模型中，串联 RC（100 pF 电容和 1.5K ohm 电阻）,也有文献中另外串联上电感（为 7.5uH）

ESD 峰值电流约为 1.3A，上升时间 10~30ns

HBM 是接受最广的 ESD 模型

2.Machine model (MM)

带电仪器接触 IC 时的静电泄放模型，等效的 ESD 模型与上图类似；串联 RC（200 pF 电容和小于 1 ohm 电阻），也有串联小于 2.5uH 的电感；峰值电流约为 3.7A，上升时间 15~30ns

3.Charged-device model (CDM)

CDM 为在 IC 制造过程中芯片自身积累的静电泄放事件的 ESD 模型

具体，其峰值电流大小约为 10A，上升时间约为 1ns

CDM 模型考虑的主要是栅氧的击穿问题（之前的 HBM 和 MM 模型则主要是热失效的问题）

4. 其他 ESD model:

IEC model: international electro-technical commission model

TLP model: transmission line pulse: 主要是利用传输线加上稳定的方波以便于测试