关于 MOSFET 中的寄生电容，我们可以从下面 MOSFET 的剖面图中得到直观的理解：

当处于三极管区时, MOSFET 的各个寄生电容和对应的大小:

当处于饱和区时, MOSFET 的各个电容分布和对应的大小:

可以看到, 这里的主要差别在于 MOSFET 处于饱和区时, 沟道在漏端夹断, 因此等效的栅电容对 Cgs 和 Cgd 的贡献不再是1/2 的 Ci, 而是近似认为 2/3 的 Ci 和零.

另外,对于截止区的 MOSFET, 需要考虑具体的栅电压, 若是栅电压很低 (对 NMOS),则栅下形成积累层, 同样会有 Ci 的电容. 但是通常并不建议将 MOSFET 工作在积累区来做电容, 这主要是考虑到此时电容实际上是串联在衬底的寄生电阻上的, 因而需要足够多的衬底接触来减小这一寄生电阻的影响.