继续前面关于新工艺下器件特性仿真的讨论…

对于晶体管输出阻抗的问题，由于 MOSFET 的输出电阻 rds 实际上与其电流 Ids 相关，在一阶模型中有 Rds=1/(lamda*Id)，因而在这里考虑以 Rds*Id 作为输出电阻的参考（实际上若 MOSFET 在饱和区，Rds*Id 就是其厄利电压 Early voltage）。

**需要注意的是，Gray 书中 Early 电压的定义与 Sansen 书中的不同，差别在于是否独立于沟长的影响，这里用的是 Gray 书中的定义，未将沟长影响去除。

下图所示为基本的仿真电路，通过对栅电压的直流扫描和对应的计算，可以得到 Early 电压与过驱动电压 Vov 的曲线，以及Early 电压和晶体管 L 尺寸的关系


***Smartspice 仿真脚本***
.dc v1 0.4 1.5 0.01
.dc l_par 0.35u 4u 0.05u
.let vov_n=@Mn[Vgs]-@Mn[Vth]
.let EarlyV='@Mn[id]/@Mn[gds]'