电路中将 MOSFET 设为多 finger 的考虑

在设计中, 通常会考虑将 w/l 较大的 MOS 管拆分为多 finger 的 MOS 管, 这里除了模型中的 w, l 的限制之外,也有一些其它的考虑.

上图所示是一个 w/l 较大的 MOSFET，右侧标注了各端口的寄生，可以看到此时的栅电阻以及对应的寄生电容都较大，因此在实际设计中会将其设为多 finger 的结构。

关于 SC 积分器的一些问题

这里对 SC 积分器做一些分析，下图中所示为基本的 stray-insensitive 的开关电容积分器

通过电荷守恒的分析，可以得到输入和输出的关系为：

，

这里 Cs 为采样电容，Ci 为积分电容. 继续阅读 →

之前在一些论文中看到有通过噪声来考虑 miller 电容的（主要是考虑SNR的要求，若已知信号在输出端的幅度，则可以知道对输出噪声的要求），当时还不太理解具体 miller 电容如何影响到噪声，现在可以来谈谈自己的理解。

对于下面的电路，我们具体来看运放的噪声在输出的大小

这里把利用 Verilog-A 模型实现压控电容的方法记录一下

具体的 Verilog-A 模型描述：

这里试着来谈谈关于集成电路中 bandgap 的三极管电流大小选取的一些考虑。

一般来说从功耗的角度，bandgap中电流大小一般取得比较小，但同时也需考虑对噪声等的影响，除此之外，我们也可以看看在不同的电流下三极管的工作状态的变化。

这里参考JSSC 90年12月的论文“A Fast-Settling CMOS OpAmp for SC circuits with 90db Gain”中的分析，谈谈具体关于gain-boost 结构的运算放大器中辅助运放带宽的考虑

一般辅助运放的带宽主要有三点考虑：

Gain-boost作用要求: GBW_booster > f3dB_before, 即辅助运放的GBW大于原来主运放的3dB带宽
环路稳定的要求：GBW_booster < fp2, 即辅助运放的GBW小于原来主运放的第二极点频率
Doublet考虑：GBW_booster > β*GBW_main, 即辅助运放的GBW大于系统带宽，这里β为整个运放的反馈系数，GBW_main为主运放的GBW