- "根据业界消息，台积电正全速进军18英寸晶圆技术领域，主要目的除了降低制造成本，也试图借此领先诸如Globalfoundries、三星(Samsung)、联电(UMC)等竞争对手一步。"
- "由于NS和TI都主要在高端器件市场上竞争，因此TI收购NS对本地的模拟器件供应商短期不会带来什么影响。但考虑到台湾和日韩系器件在质量和价格上的竞争力，这些欧美模拟器件供应商的合并抢市场的行为发生并不为奇。"
- "The Global Mobile Suppliers Association reported on Tuesday (April 5) that 196 carriers in 75 countries are investing in LTE at some level. The report says 140 of those operators will deploy commercial LTE systems in 56 countries, up 118 percent from a year ago, and 56 other carriers are conducting LTE trials"
- some discussion about the super-source-follower
Cadence 中 Gm/Id 曲线的绘制
以前有提过在 spice 下面得到 mosfet 的 gm/id 曲线等的方法，这里谈一下在 cadence 环境下面获得 gm/id 曲线的方法
基本的方法，还是和之前文章说的一样，通过 op 分析得到 gm 等参数，并通过参数分析（parametric analysis）扫描 Vgs 电压得到跨导效率 gm/id 随过驱动电压 Vov 变化的曲线，具体的仿真电路如下：
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links for 2011-04-09
- " NXP Semiconductors BV (Eindhoven, The Netherlands), the chip company separated from Koninklijke Philips Electronics NV by a private equity buy out in 2006, is in takeover talks with Intel, Qualcomm and Broadcom, according to online reports that cite Dutch newspaper De Telegraaf reporting on Friday (April 8)."
- "As reported, Texas Instruments Inc. signed a definitive merger agreement to acquire National Semiconductor Corp. for $6.5 billion in cash, the company said Monday (April 4). "
JSSC2011-3 笔记
3月份的JSSC，部分paper的内容：
A Wideband Receiver for Multi-Gbit/s Communications in 65 nm CMOS
关于mm wave 接收机的设计，主要是带宽的问题（对信号链路线性和参考频率的产生模块），具体介绍的模块：cascade LNA, mixer, synthesizer ；级联的LNA的电路，通过在级间加入的高阶的滤波器，将驱动级和负载的电容实现隔离的效果，.以一定的带内ripple的代价提升GBW；mixer中为带宽问题在其输出使用了transformer coupling (magnetic coupling）的方法
An X- and Ku-Band Wideband Recursive Receiver MMIC With Gain-Reuse
基于SiGe HBT BiCMOS 0.13um 工艺的实现，从超外差结构的改进的递归的接收机结构；通过利用SiGe工艺实现的高带宽，Gm/VGA模块能够实现对RF与IF信号共用相同的增益级。LNA中主要用了 Multi-feedback 和 inductive compensation的结构来实现宽带的工作，另外，针对其noise figure 和input impedance也有比较详细的分析；dual-conversion gain-reuse mixer 中，还是基于folded mixer 的结构。
vmware下ic5141的安装
最近机器重装系统，恰好看到eetop上放出的ic5141usr6的压缩包，以前自己安装的只有base版，而且调state好像有点问题，还是决定趁这机会在vmware下面把这个新的icfb的环境搭起来看看
Cadence 中三端 MOS 器件的 CDF 问题
最近遇到的一个小问题，在这里记录一下..
现在接手的电路，里面的 mos 管用的都是三端器件，n 管衬底和 p 管的阱的端口都是用在 CDF 中设置参数来连接的，但是这样做在仿真的时候会出现问题，也就是 spectre 生成网表时会把衬底或是阱的连接丢失。
中间试过一些办法，按着 Cadence的 CDF 文档的方法设置或是直接从 analoglib 中 copy 里面 nmos/pmos 的 CDF，都不太行。最后还是在这里找到了解决办法。
具体的方法就是：
- 在 CDF 中将设置体区（衬底或是阱）连接的变量（如 bn）的类型改为 netSet，其他基本不变（termOrder ：D G S B； termMapping： nil D \:d G \:g S \:s B \:b ）
- 在器件的 spectre view 中，加上 B 的端口，并将其 net express 设为之前 CDF 中的变量，并确定其默认连接