电路中将 MOSFET 设为多 finger 的考虑


在设计中, 通常会考虑将 w/l 较大的 MOS 管拆分为多 finger 的 MOS 管, 这里除了模型中的 w, l 的限制之外,也有一些其它的考虑.

MOSFET with long W

上图所示是一个 w/l 较大的 MOSFET,右侧标注了各端口的寄生,可以看到此时的栅电阻以及对应的寄生电容都较大,因此在实际设计中会将其设为多 finger 的结构。

从下图可以看到,将其拆分为 finger=2 的 MOS 管后,对应的漏端的结电容 Cdb 由 Cj*W*LD 变为 Cj*W/2*Ld,也即减小了一半。

Reducing Cdb in Multi finger MOSFET

需要注意的是,当 finger 为偶数时,源漏对衬底的耗尽电容是不一样的,可以将较大电容的一端靠近地或电源(即取为源端),这也是上图中所示的 S/D 的选择。

关于设置 finger 数目的另一个考虑是栅电阻的大小,考虑到栅电阻实际会引入噪声,需要使得栅电阻的噪声远小于 MOS 管噪声,这一要求很多情况下会要求在设置 MOSFET finger 数时保证 w/l <20 , 在实际中也常使得 w/l <10, 如下图所示。

Reducing gate res in Multi finger MOSFET


版权声明: 本站文章版权所有,转载须以超链接形式标明文章原始出处和版权信息。

发表评论

电子邮件地址不会被公开。 必填项已用*标注