Simulation for new lib-2 体效应对阈值电压的影响


之前简单介绍了关于 MOSFET 的阈值的简单仿真方法, 并以此来了解新工艺下 MOS 管阈值电压 Vth 的变化。

但是,在具体的实际电路设计中,常常有 MOS 管的源极(s)与衬底(b)的电位不同的情况(例如常见的 cascode 结构中的 cascode 管以及 nmos 输入的差分对管),这时体效应(或者说衬偏效应)会使 mos 管的阈值电压发生变化。在这里我们也可以通过仿真简单的评估一下体效应对 mos 管阈值的具体影响。

体效应影响的简单仿真电路如下:

simulation of the body-effect

***Smartspice 仿真脚本***
.param L_par=0.35u
.dc V3 0 '0.5*AVcc' 0.1
+l_par list 0.35u 0.5u 0.8u 1u
.probe @Mn[Vth]

下图是得到的阈值 vth 与源衬底偏压 Vsb 的曲线,可以从中大致了解阈值的变化范围

Vth Vs. Vbs


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