之前简单介绍了关于 MOSFET 的阈值的简单仿真方法, 并以此来了解新工艺下 MOS 管阈值电压 Vth 的变化。

但是，在具体的实际电路设计中，常常有 MOS 管的源极（s）与衬底（b）的电位不同的情况（例如常见的 cascode 结构中的 cascode 管以及 nmos 输入的差分对管），这时体效应（或者说衬偏效应）会使 mos 管的阈值电压发生变化。在这里我们也可以通过仿真简单的评估一下体效应对 mos 管阈值的具体影响。

体效应影响的简单仿真电路如下：

***Smartspice 仿真脚本***
.param L_par=0.35u
.dc V3 0 '0.5*AVcc' 0.1
+l_par list 0.35u 0.5u 0.8u 1u
.probe @Mn[Vth]


下图是得到的阈值 vth 与源衬底偏压 Vsb 的曲线，可以从中大致了解阈值的变化范围