JSSC 2021-04 笔记


四月的 JSSC,主要看了下面的论文:

A Single-Trim Switched Capacitor CMOS Bandgap Reference With a 3σ Inaccuracy of +0.02%, -0.12% for Battery-Monitoring Applications

论文主要是关于 bandgap reference 的设计,下图所示为基本的实现方式 ,这里额外加入了一路用温度无关的电流偏置的 三极管来产生的 VEB3 ,主要是利用来做曲率矫正。

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论文中的 BG 主要是用做电池电压监测的 SDM loop 的参考电压,因此实际是通过开关电容的方式实现的电压求和,在不同的相位时得到 Vbe,delta-Vbe 和 曲率补偿的电压。这里注意的是电路中通过 R/4 电阻实现了 beta-compensation,使 Vbe 电压和 beta 无关,至于 delta-Vbe 和 曲率补偿的电压则是考虑三极管 beta的 matching 来消除 beta 的影响。

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论文设计的具体的电路如下图所示,可以看到偏置电流和三极管都做了 DEM 来提升匹配。

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