四月的 JSSC，主要看了下面的论文：
A Single-Trim Switched Capacitor CMOS Bandgap Reference With a 3σ Inaccuracy of +0.02%, -0.12% for Battery-Monitoring Applications
论文主要是关于 bandgap reference 的设计，下图所示为基本的实现方式 ，这里额外加入了一路用温度无关的电流偏置的 三极管来产生的 VEB3 ，主要是利用来做曲率矫正。
论文中的 BG 主要是用做电池电压监测的 SDM loop 的参考电压，因此实际是通过开关电容的方式实现的电压求和，在不同的相位时得到 Vbe，delta-Vbe 和 曲率补偿的电压。这里注意的是电路中通过 R/4 电阻实现了 beta-compensation，使 Vbe 电压和 beta 无关，至于 delta-Vbe 和 曲率补偿的电压则是考虑三极管 beta的 matching 来消除 beta 的影响。
论文设计的具体的电路如下图所示，可以看到偏置电流和三极管都做了 DEM 来提升匹配。
