7月份的 JSSC, 主要挑了下面的论文:
A 0.1% THD, 1-MΩ to 1-GΩ Tunable, Temperature-Compensated Transimpedance Amplifier Using a Multi-Element Pseudo-Resistor
论文主要介绍了用 MOS 管实现的电阻的结构,这里采用了串联的方式来改善线性度等问题,如下图所示:
下面是具体的关于 MOS 管实现的电阻的偏置电路,注意这里 PMOS 和 NMOS构成的伪电流镜结构。
7月份的 JSSC, 主要挑了下面的论文:
A 0.1% THD, 1-MΩ to 1-GΩ Tunable, Temperature-Compensated Transimpedance Amplifier Using a Multi-Element Pseudo-Resistor
论文主要介绍了用 MOS 管实现的电阻的结构,这里采用了串联的方式来改善线性度等问题,如下图所示:
下面是具体的关于 MOS 管实现的电阻的偏置电路,注意这里 PMOS 和 NMOS构成的伪电流镜结构。