关于基本的两级运放PSRR的分析，在许多书中都有介绍，但是具体的计算还是有些差别，例如 P.R.Gray 和 Sansen 在各自的书中的分析方法，都还是不太一样。这里，我们通过比较实际的仿真曲线，来尝试对PSRR建立一些直观的印象
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关于 Miller 电容和输出电阻
关于基本的 miller 补偿的两级运放，通常在计算输出节点的非主极点时，认为第二级的共源放大的mos管的栅和漏由补偿电容Cc短接，其阻抗近似为 1/gm, 进而得到输出的极点为 gm2/CL。但是，具体在多高的频率下可以认为 Cc 短接？也就是第二级的输出阻抗随频率具体如何变化，在何时 Cc 会使得 Rout 近似为 1/gm ? 这里，我们对此做些分析。
关于电阻方式二极管连接的 MOS 管的问题
对于基本的二极管连接的 mosfet，我们都知道其阻抗约为 1/gm。在实际电路中，也有其他类似的接法，如对于下图中 A,B 分别所示的电阻方式的连接：图中 A 在考虑调零电阻对输出阻抗影响时有类似的问题，而 B 则见于自偏置方式的 cascode 接法。这里，我们来看下各自的等效阻抗的变化。
关于镜像极点的理解
关于镜像极点的问题，一般书上都有介绍，这里主要是考虑如何理解镜像极点后面的零点。
下图是《Analog Design Essential》中的分析方法，我们可以先看 Razavi 书中一般考虑零点的方法，主要是考虑左边支路的慢通道和右边支路的快通道并联，最后在整个传输特性上会产生一个零点，且其频率为2fnd。
我们也可以考虑 analog-design-essential 中的分析方法, 就是在高频处, 左边支路电流完全被电容吸收, Vout 输出的只有右半支路作用故而减为一半, 如波特图中所示, 也可以看出零点的作用. 同时考虑波特图中单极点斜率为 -6dB 每倍频. 可以看出零点位置在镜像极点两倍处.
关于电荷注入
在集成电路中，电荷注入（charge-injection）是 mos 开关常见的一个问题，在这里简单的说一下：
具体的问题来源
下图是电荷注入问题的示意，MOS 管导通时在沟道区会存在沟道电荷，在导通或关断的瞬间，此电荷流入或流出 MOS 开关，因此会改变对应节点的电压，引入误差
关于 Cascode 中噪声的理解
对于 cascode 结构中的噪声，一般概念中 cascode 管的噪声贡献可以不考虑，但具体如何来理解这一结论，有时不太容易弄清楚。这里我们可以参考 Sansen 书中相关的分析，这里简单叙述一下 ：
上图所示为基本的cascode的结构，M1为共源放大管，M2为cascode管．
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