在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下
WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体管与阱边缘的距离而发生变化, 这一特性就称为 well proximity effect.
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在这里把看到的关于 WPE 和 LOD 效应的内容小结一下
WPE, 也即 Well Proximity Effect, 其原理可以参见下图: 集成电路制造过程中, 在对阱作离子注入时,注入的离子与阱区周围的光刻胶发生溅射而富集在阱的边缘, 因而在水平方向呈现掺杂浓度的非均一性。这会导致阱区中的 MOS 管的阈值或其他电学特性会随着晶体管与阱边缘的距离而发生变化, 这一特性就称为 well proximity effect.
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最近看到看到谈及所谓的 symmetric current-voltage mirror 结构的 bandgap 的一篇论文,刚好以前有看到一些类似的方法,这里试着谈谈自己的一些理解。
下图中是基本的电流镜结构的 bandgap ,中间的 pmos 电流镜使流过两个 pnp 的电流相等,下面的一对 nmos 将左侧的 pnp 的 Vbe 与右侧的 Vres + Vbe 设为相同电压,故此有论文将此结构叫做 current-voltage mirror。
四月份的 JSSC, 还是简单列下部分内容:
A Spurious-Free Switching Buck Converter Achieving Enhanced Light-Load Efficiency by Using a ΔΣ-Modulator Controller With a Scalable Sampling Frequency
主要是考虑利用 sigma-delta modulator 减小输出噪声,同时针对轻载效率问题调整开关频率和应用 DCM 模式以及改进的 current-sense 结构
最近有被问到相位噪声和时域抖动的关系,虽然在之前关于 jitter 的小结里面有提到过由 phase-noise 积分计算 jitter, 但是这一变换具体由何而来,理解的还不是很清楚,为此回去把随机信号的基础翻了下(主要是参考了 “ The Designer’s Guide to Jitter in Ring Oscillator ” 中关于噪声的部分),也在这里记录一下..
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最近在这里花的时间比较少,但还是坚持列一下这个月的 jssc 中的部分内容吧
A 1.9–3.8 GHz ΔΣ Fractional-N PLL Frequency Synthesizer with Fast Auto-Calibration of Loop Bandwidth and VCO Frequency
关于 Fractional-N PLL 中应用全数字的自动校准电路的设计,以恒定环路带宽和加快锁定;另外里面的 frequency-to-digital 的电路也可以研究下
二月的的 jssc, 还是列下部分可以关注的内容
A Power-Efficient Receiver Architecture Employing Bias-Current-Shared RF and Baseband With Merged Supply Voltage Domains and 1/f Noise Reduction
主要可以看看里面提到的 low power and dynamic range optimized down converter
A Broadband CMOS RF Front-End for Universal Tuners Supporting Multi-Standard Terrestrial and Cable Broadcasts
对 Tuner 的带宽问题的考虑,针对此设计的 wide-band LNA, harmoinc rejection Mixer 等 继续阅读