在设计中, 通常会考虑将 w/l 较大的 MOS 管拆分为多 finger 的 MOS 管, 这里除了模型中的 w, l 的限制之外,也有一些其它的考虑.

上图所示是一个 w/l 较大的 MOSFET，右侧标注了各端口的寄生，可以看到此时的栅电阻以及对应的寄生电容都较大，因此在实际设计中会将其设为多 finger 的结构。

从下图可以看到，将其拆分为 finger=2 的 MOS 管后，对应的漏端的结电容 Cdb 由 Cj*W*LD 变为 Cj*W/2*Ld，也即减小了一半。

需要注意的是，当 finger 为偶数时，源漏对衬底的耗尽电容是不一样的，可以将较大电容的一端靠近地或电源（即取为源端），这也是上图中所示的 S/D 的选择。

关于设置 finger 数目的另一个考虑是栅电阻的大小，考虑到栅电阻实际会引入噪声，需要使得栅电阻的噪声远小于 MOS 管噪声，这一要求很多情况下会要求在设置 MOSFET finger 数时保证 w/l <20 , 在实际中也常使得 w/l <10, 如下图所示。