在集成电路中，电荷注入（charge-injection）是 mos 开关常见的一个问题，在这里简单的说一下：

具体的问题来源

下图是电荷注入问题的示意，MOS 管导通时在沟道区会存在沟道电荷，在导通或关断的瞬间，此电荷流入或流出 MOS 开关，因此会改变对应节点的电压，引入误差

一般在开关开启时，由于输出和输入相接，Vo跟随Vi，故电荷注入导致Vo的瞬时变化常可以忽略；而在开关断开时，电荷流出开关管在Vo端引入电压的跳变，而此时开关已断开，此Vo信号的误差无法恢复。故此，我们主要主要关心的是开关关断时的电荷注入问题

另，当开关控制信号跳变足够快时，一般认为沟道电荷近乎平均的流到开关管的两边

解决（改善）方法

下面是常见的改善电荷注入问题的方法：

1. dummy 管的结构

注意这里M2一般选取为M1尺寸的一半，且其导通略晚于M1管的关断以吸收M1的电荷，其关断略早于M1的导通以避免M2自身的电荷对Vo节点的影响

2. CMOS开关的方法

利用CMOS的互补开关来减小其影响

3. 并联开关的方法

小尺寸的开关管MB，其控制信号略晚于开关管MA的控制信号，从而在MA关断时仍有MB形成的通路，时的此时的vo任然跟随Vi，从而减小MA的电荷注入的影响

4. 其他的补偿方法

如上图所示, 通过在正输入端的补偿, 来减小负输入端的电荷注的影响

5. 全差分的结构

通过采用全差分的结构, 将电荷注入导致的误差作为共模干扰以抑制