在转换到新工艺开始电路设计之前，通常需要对新工艺下 MOSFET 相关参数加以了解，当然最简单的办法就是去阅读 FAB 提供的相关文档。此外，对基本的 MOS 管特性的简单仿真亦可为我们带来对新工艺下器件特性的直观了解，这也是本文以及后续的几篇文章所要介绍的内容。

在本文中，主要来介绍对于 MOS 管阈值电压的一些基本的仿真。

首先，关于 MOSFET 的阈值，一般在测试中有对 Ids-Vgs 的特性曲线做切线和设定 Ids 基准电流两类方法，对电路设计而言最简单的就是直接在 model 文件里看 Vth0 的值，比较直观的也可观察 .op 分析之后的打印列表，这里也可以通过 .dc 直流扫描得到阈值与沟长的曲线（实际 Vth 与 W,L 都相关，一般 FAB 文档中亦会给出分布图示）。

图中所示就是 Vth 的简单仿真电路，通过直流工作点的分析和对于沟长的参数扫描，可以得到 Vth 的变化曲线

***Smartspice 仿真脚本***
.param L_par=0.35u
.dc l_par 0.35u 2u 0.05u
.probe @Mn[Vth] @Mp[Vth


通过上面的 spice 仿真, 得到的 pmos 和 nmos 的阈值与 L 的关系曲线如下, 可以看到其变化范围以及对应于沟长的变化趋势.