关于电路的输出阻抗，一般可以用spice中的.tf语句在仿真中加以查看，但.tf仿真一般只有输出阻抗在dc或者说零频下的值，那么要如何来查看输出阻抗的频率响应？

其实还是按照计算输出阻抗的方法，在输出节点加上一个ac=1的交流电流信号，通过ac分析来看此节点的电压，实际就是输出接点的阻抗。我们可以以之前谈到的关于super-source-follower电路为例来做些讨论。

下面左图为super-source-follower的电路，我们通过如下的spice语句定义其激励源（包括直流的输入电压和ac的交流电路）


vin in 0 1.25
iout 0 out ac 1
.ac dec 100 10 10g


这样通过smart-spice的.ac的仿真，可以得到如右边所示的阻抗特性，与之前对super-source-follower的分析一致，高频下反馈环路增益下降导致阻抗的上升，之后应该是寄生电容的影响

另一个例子，可以考虑一下单个mos管的输出阻抗的问题：

对此可以像之前关于单管输出阻抗（或Early电压）的仿真一样，只要看mos管的rds或gds就可以，但同样只有dc下的值。

这里我们同样可以按上图的方法来仿真，但是一般我们只希望仿真mosfet自身的输出阻抗，故此需将其输出接到电流源（因理想电流源的输出阻抗为无限大，不会影响输出节点的阻抗）。这样直接接电流源的接法带来的问题是如何来设定其Vgs的电压偏置，因为Vgs偏压和偏置电流源同时定义MOS管的Ids，可能导致MOS管偏离合适的工作状态。

一个简单的想法是利用电流镜，通过二级管连接的mos管来得到合适的Vgs偏压，但是这样的结构要求两个管子的Vds相同以满足所接的电流源大小相等的条件，因此输出管的阻抗只是对于Vds=Vgs的状态。但是，更多的情况要求我们来查看mos管在不同的Vds偏压下的工作状况（这里就是其输出阻抗）。

对这一问题，可以考虑利用反馈（以及类似replica bias）的方法，如下面左图所示：通过一个理想放大器，设定其Vds让mos管工作于合适的状态，并以此提供合适的Vgs偏压（图中的二极管连结的M2管提供合适的Vds，我们亦可以换成单纯的电压源，通过设定其大小，来查看输出管在不同Vds（对应的状态下）的输出阻抗的变化）；以下图的设定，按前述的仿真输出阻抗的方法，可以得到右图的输出阻抗的特性.

上面谈的主要是在输出点注入 ac 电流源引起的问题，如果考虑是用 ac 电压源（串接在 dc 电压源，或直接赋予其 ac 和 dc 值）来仿真的话（相应的其得到的为输出的导纳），就没有这类问题，就不多说了。